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→Stromlose Abscheidung von Zinn (Austauschverfahren)
die gesamte Substratoberfläche mit einer dichten Schicht des edleren Metalls
bedeckt ist. Die erreichbare Schichtdicke ist dabei auf ca. 0,1 μm begrenzt
(<xr id="tab:Immersion_Gold_Electrolytes"/><!--(Table 7.5)-->).
<figtable id="tab:Immersion_Gold_Electrolytes">
Reduktiv abgeschiedene Nickel-Schichten mit darüber liegender Austausch-
Goldschicht gewinnen, z.B. bei der Beschichtung von Leiterplatten, zunehmend
an Bedeutung. Der Prozessablauf sei am Beispiel des DODUCHEMVerfahrensDODUCHEM-Verfahrensdargestellt (<xr id="fig:Electroless Deposition of Nickel Gold"/><!--(Fig. 7.2)-->).
<figure id="fig:Electroless Deposition of Nickel Gold">
[[File:Electroless Deposition of Nickel Gold.jpg|right|thumb|Figure 1: Prozessablauf bei der chemisch Ni/Au-Beschichtung nach dem DODUCHEM-Verfahren]]
</figure>
Nach der Vorreinigung kommt ein Palladiumsulfataktivator zum Einsatz, der die
Als Erweiterung dieser Schichtkombination ist es möglich, zwischen chem.
Nickel und Sudgold eine Palladiumschicht aufzubringen (DODUCOBONDVerfahrenDODUCOBOND-Verfahren).
Diese Pd-Schicht dient als Diffusionsbarriere und ermöglicht den
Einsatz dieser Endoberfläche u.a. im Bereich des Golddrahtbondens.
Hinsichtlich der Badstabilität und Robustheit erreichen diese reduktiven
Prozesse oftmals aber nicht das Niveau anderer galvanischer Elektrolyte, was
eine größere Verbreitung einschränkt (<xr id="fig:Coating composition of a printed circuit board"/><!--(Fig. 7.3)-->).
<figure id="fig:Coating composition of a printed circuit board">
[[File:Coating composition of a printed circuit board.jpg|right|thumb|Figure 2: Schichtaufbau einer
Leiterplatte mit reduktiv
verstärktem Gold]]
Thioharnstoff wird das Potential des Kupfers soweit erniedrigt (auf ca. - 450 mV,
also deutlich unedler als Zinn), dass dadurch die Austauschreaktion stattfinden
kann. Durch eine geeignete Badzusammensetzung und Ergänzerlösung, wie im DODUSTAN-Verfahren (<xr id="fig:Process flow for electroless tin deposition using the DODUSTAN process"/><!--(Fig. 7.4)-->), können Zinn-Schichten erzeugt werden, die
auch bei einer Kupferkonzentration von 7 g/l im Bad, d.h. unter ungünstigen
Bedingungen, gut lötbar sind.
<figure id="fig:Process flow for electroless tin deposition using the DODUSTAN process">
[[File:Process flow for electroless tin deposition using the DODUSTAN process.jpg|right|thumb|Figure 3: Prozessablauf bei der stromlosen Zinn-Beschichtung nach dem DODUSTAN-Verfahren]]
</figure>