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→AlSi-plattierte Bänder für Bondverbindungen
Einsatz (<xr id="fig:Bond_connection_Al_thick_wire_on_clad_AlSi"/><!--(Fig. 9.1)-->).
<figure id="fig:Bond_connection_Al_thick_wire_on_clad_AlSi">
[[File:Bond connection Al thick wire on clad AlSi.jpg|right|thumb|Figure 1: Bondverbindung: Al- Dickdraht auf AlSi-Plattierung a) Makroaufnahme; b) Gefüge mit Drahtabriss]]
</figure>
kommen neben galvanisch und chemisch aufgebrachten Goldschichten häufig AlSi1-plattierte Halbzeuge zum Einsatz. Bei der Herstellung der Plattierung wird
die AlSi1-Legierung mit dem Träger aus Cu oder einer Cu-Legierung durch
Kaltwalzen verbunden (<xr id="fig:Examples_of_AlSi_clad_strips_for_bond_connections"/>) (siehe Abschnitt [[Herstellung_von_Halbzeugen|Herstellung von Halbzeugen]]).
Voraussetzung für die stoffschlüssige Verbindung zwischen den beiden Komponenten ist eine geeignete Vorbehandlung
der Trägeroberfläche, ein hoher Umformgrad beim Plattiervorgang und eine
anschließende Diffusionsglühung.
korrosiven Einwirkungen geschützt.
<div class="clear"></div>
*'''Werkstoffe'''
|-
|Trägerwerkstoffe
|Cu, CuFe2P, CuSn6 othersu.a.
|}
(siehe Abschnitt [[Stromlose_Beschichtung|Stromlose Beschichtung]]). Neben dem Bonden auf Nickel/Gold-Oberflächen dient das
Löten am häufigsten zur Herstellung der Verbindungen. Dies kann auch mit
stromlos abgeschiedenen Zinnoberflächen erfolgen(<xr id="fig:Electroless deposition on a printed circuit board"/><!--Fig. 9.2:-->).
<figure id="fig:Electroless deposition on a printed circuit board">
[[File:Electroless deposition on a printed circuit board.jpg|right|thumb|Figure 3: Stromlose Beschichtungen auf Leiterplatte]]
</figure>